Depolama teknolojilerinde son yıllarda gösterdiği gelişimle beraber dikkat çekmeye başlayan flaş bellek teknolojisi, ortaya konan somut sonuçlarla da rüştünü ispatlama yoluna girmiş durumda. San Francisco'da düzenlenen 2016 IEEE ISSCC konferansında paylaşılan tablolara göre, flaş bellek teknolojisinin 2015 yılında başlayan baskısı, 2016 yılına sonuç vermiş.
Özellikle Samsung'un üzerinde durduğu flaş bellek teknolojisi, Samsung'un deyimiyle V-NAND bellekleri, diğer bilinen adı ile 3D flaş bellek teknolojisi, 2015 yılında HDD'lere uyguladığı baskıyı başarılı bir şekilde sürdürmüş görünüyor. Tablolara göre 2016 yılı itibari ile manyetik başlı teknolojilere göre alansal yoğunluğunu arttıran ve yükselen bir ivmeyle başarısını sürdüren flaş bellek teknolojisi, önümüzdeki yıllara da göz kırpıyor.