Ürettiği yarı iletken donanım bileşenleriyle bilinen ABD'li firma Micron, akıllı telefonların batarya ömrünü iyileştirmek adına yeni bir 3D hafıza teknolojisi geliştirdi.
3D NAND teknolojisinden yararlanan ve Universal Flash Storage 2.1 üzerinde temellenen 32 GB'lık bir yonga üreten firma böylece akıllı telefonların çok daha hızlı bir hafıza performansına sahip olmasını sağlıyor. Akıllı telefonlar bu teknoloji sayesinde daha hızlı açılabiliyor ve genel olarak daha hızlı yükleme yapıyor.
Çok daha etkili performansın yanında 3D NAND, düzlemsel (2D) NAND'lara göre çok daha fazla sayıda depolama hücresini bünyesinde barındırabiliyor.
Özellikle orta ve üst segment akıllı telefonlar için son derece iyi bir haber olan bu teknolojinin halihazırda cihaz üreticileri tarafından da test edildiği belirtiliyor. Micron tarafından yapılan açıklamaya göre bu teknolojinin bu yılın sonlarına doğru piyasadaki cihazlarda yer alacağı ifade ediliyor.