KIOXIA Europe, 9'uncu nesil BiCS FLASH teknolojisine sahip 512Gb Triple-Level Cell (TLC) 3D NAND bellek cihazlarının örnek sevkiyatlarına başladığını duyurdu. Seri üretimin, 2025 mali yılı içerisinde başlaması planlanıyor.
Yeni nesil bellek cihazları; orta düzey kapasite ihtiyacına sahip sistemlerde performans ve enerji verimliliği açısından kullanılmak üzere tasarlandı. Bu cihazlar aynı zamanda KIOXIA’nın kurumsal SSD ürün gruplarına da entegre edilecek. Özellikle yapay zeka sistemlerinde GPU verimliliğini artırmayı amaçlayan çözümlerde kullanılması öngörülüyor.
İkili Teknoloji Stratejisi: 9. ve 10. Nesil Ürünler
KIOXIA, farklı uygulama ihtiyaçlarına yönelik çözüm geliştirmeyi hedefleyen ikili bir strateji izliyor. Bu strateji kapsamında:
-
9'uncu nesil BiCS FLASH ürünleri, mevcut hücre teknolojileriyle gelişmiş CMOS’un doğrudan entegre edildiği CBA (CMOS directly Bonded to Array) teknolojisini birleştirerek, üretim maliyetlerini düşürürken performansı artırmayı hedefliyor.
-
10'uncu nesil ürünler ise katman sayısında artış sağlayarak daha yüksek kapasiteli çözümler için geliştirilmekte.
Yeni 512Gb TLC cihazları, 5. nesil BiCS FLASH temeli üzerinde 120 katmanlı bir yapı ve gelişmiş CMOS teknolojisiyle üretilmiş. Verilen bilgilere göre mevcut aynı kapasiteli ürünlere göre performans artışı şu şekilde:
-
Yazma performansı: %61 artış
-
Okuma performansı: %12 artış
-
Enerji verimliliği: Yazmada %36, okumada %27 iyileştirme
-
Veri aktarım hızı: Toggle DDR 6.0 arayüzüyle 3.6Gb/s
-
Bit yoğunluğu: Planar iyileştirmelerle %8 artış
Şirket ayrıca, gösterim koşulları altında cihazın NAND arayüz hızının 4.8Gb/s’ye kadar ulaştığını da doğruladı.