KIOXIA, 8. nesil BiCS FLASH teknolojisiyle geliştirdiği UFS 4.1 gömülü bellek cihazlarının deneme üretimine başladı. Yeni nesil modeller, farklı kapasitelerde sunulurken performans ve enerji verimliliği alanında önceki nesillere kıyasla teknik iyileştirmeler içeriyor.
KIOXIA Europe GmbH, Universal Flash Storage (UFS) 4.1 standardına uygun yeni gömülü bellek modellerini örneklemeye başladığını duyurdu. Cihazlar, şirketin 8'inci nesil BiCS FLASH 3D flaş bellek teknolojisiyle üretiliyor ve özellikle yeni nesil mobil cihazlarda kullanıma uygun şekilde geliştiriliyor.
Yeni ürünler, 256 GB, 512 GB ve 1 TB olmak üzere üç farklı kapasite seçeneğiyle sunuluyor. Yapılan teknik değerlendirmelere göre, önceki nesle kıyasla rastgele okuma ve yazma performanslarında %30 ila %45 oranında artış sağlanıyor. Ayrıca okuma ve yazma işlemlerinde güç tüketimi tarafında da %15 ila %20 arasında iyileştirme raporlanıyor.
UFS 4.1 cihazlar, JEDEC standardına uygun bir paket içinde flash bellek ile kontrol birimini bir arada sunuyor. Ürünlerde kullanılan CBA (CMOS Bonded to Array) mimarisi, bellek hücreleriyle kontrol devresi arasındaki bağlantıyı doğrudan sağlayarak güç verimliliğini ve veri yoğunluğunu artırmayı hedefliyor.
Ek olarak, sistem performansını optimize etmek amacıyla Host Initiated Defragmentation (ev sahibi cihaz tarafından başlatılan birleştirme) ve WriteBooster tampon ayarlamaları gibi çeşitli yazılımsal destek özellikleri de cihazlara entegre edildi.
Test süreci devam eden bu modellerin ne zaman ticari olarak piyasaya sunulacağı ise henüz açıklanmadı.