Qualcomm, bir sonraki nesil Snapdragon işlemcisini ortaya çıkardı. Yapılan duyuruya göre Snapdragon 835, Samsung tarafından 10 nanometre FinFET üretim teknolojisiyle üretilecek.
Yeni işlemci, yine Samsung tarafından geliştirilen 14 nanometrelik Snapdragon 821'e göre aynı alana yüzde 30 daha çok bileşen sığdırıyor ve yüzde 27 daha iyi performans sunuyor. Yeni yonganın güç tüketimi ise Qualcomm'a göre yüzde 40 daha az. Snapdragon 835, pil tasarrufunu tasarımındaki geliştirmelere borçlu.
10 nanometre yongalar üzerinde çalışan TMSC ve Intel gibi firmalar da var, ancak Samsung bu işlemcileri üreten ilk firma olduğunu söylüyor. Snapdragon 835 işlemciyi taşıyan ilk cihazların 2017'nin ilk yarısında piyasada olması bekleniyor. Bu cihazların arasında muhtemelen Samsung'un Galaxy S8'i de olacak.
Yeni işlemciyle gelen Quick Charge 4, Qualcomm'un en son hızlı şarj teknolojisine göre yüzde 20 daha hızlı şarja izin veriyor. Firmaya göre bu, 5 dakikalık şarj ile 5 saatlik ek kullanım süresi elde etmeniz anlamına geliyor. 15 dakika ise pilin yarısını doldurmaya yetiyor. Teknolojinin Google'ın USB Type-C şarj talimatlarıyla uyumlu olduğu söyleniyor. Google, Qualcomm'un Quickcharge 3.0 teknolojisinin USB Type-C ile uyumsuz olduğunu söylemişti. Qualcomm'a göre yeni sistem, "hem adaptör, hem de mobil cihaz için gelişmiş güvenlik işlevleriyle geliyor". Basın duyurusuna göre pili aşırı şarj etmeyi engelleyecek ve akımı düzenleyecek ek bir güvenlik katmanı bulunuyor.