Elektronik cilt, ancak neredeyse fark edilmeyecek kadar incelmeyi başarırsa gerçekten pratik hale gelecek ve bilim insanları artık bu buluşu gerçekleştirmiş olabilir. Stanford araştırmacıları, 100 nanometrenin altında uzunlukta "atomik incelikte" transistörler üreten yeni bir teknik geliştirdiler. Üniversitenin söylediğine göre bu, önceki en iyiden "birkaç kat" daha kısa.
Ekip, esnek teknolojide uzun süredir devam eden bir engeli aşmayı başardı. '2D' yarı iletkenler ideal olsa da, üretimleri için ihtiyaç duyulan ısı esnek plastiği eritebilecek yükseklikte. Yeni yaklaşım, nano desenli altın elektrotlarla kaplanmış süper ince bir yarı iletken film (molibden disülfür) ile cam kaplı silikonu kapsıyor. Bu yaklaşım, 1,500F'ye (815,5C) yakın bir sıcaklık kullanarak sadece üç atom kalınlığında bir film üretiyor ve geleneksel plastik alt tabaka 680F (827C)civarında deforme oluyor.
Bileşenler soğuduktan sonra, ekip filmi alt tabakaya uygulayabiliyor ve yaklaşık beş mikron kalınlığında veya insan saçının onda biri kalınlığında bütün bir yapı oluşturmak için birkaç "ek üretim adımı" gerçekleştiriliyor. Ortaya çıkan ürün düşük voltajda yüksek akımları kaldırabildiğinden, düşük güç kullanımı için bile ideal oluyor.
Ancak yapılması gereken daha pek çok çalışma bulunuyor. Araştırmacılar hem esnek teknolojiyi geliştirmek hem de hantal donanım olmadan ağ oluşturmaya izin verecek kablosuz teknolojiyi eklemek istiyorlar. Ayrıca bu teknolojinin olağan zorluklarını da unutmamak gerekiyor – araştırmacıların bu transistörleri makul fiyatlarla seri üretmenin bir yolunu bulması gerekecek. Ancak araştırmacılar başarılı olursa, bu yeni yaklaşım ile oldukça verimli e-ciltlerin, implantların ve neredeyse algılanamayan diğer esnek cihazların üretimi mümkün olabilecek.