Samsung, "amorf bor nitrür" olarak tanımladığı yeni bir yarı iletken keşfettiğini duyurdu. Keşif için Samsung İleri Teknoloji Enstitüsü'ndeki (SAIT) araştırmacılar, Ulsan Ulusal Bilim ve Teknoloji Enstitüsü (UNIST) ve Cambridge Üniversitesi ile çalıştı.
Samsung, yeni maddenin grafenden türevlendiğini, ancak farklı bir moleküler yapıya sahip olduğunu, bu nedenle beyaz grafenden "eşsiz derecede farklı" olduğunu söylüyor. a-BN olarak kısaltılan maddenin, elektrik karışmasını en aza indirdiği için DRAM ve NAND bileşenlerinde kullanılacağı belirtildi. Madde, wafer ölçeğinde düşük sayılabilecek 400 santigrat derecede genişletilebiliyor.
Firma, yeni maddeyi donanım ürünlerinde ne zaman kullanacağını ise söylemedi ancak sonraki nesil geniş ölçekli sunucularda, özellikle DRAM ve NAND çözümlerinde uygulamaya başlayacağını belirtti.