210 GHz saat hızında işlem yapalibilecek kapasitede olan yeni transistör ile 80 GHz’lik ağ çipleri üretilebilecek. Bu rakam bugünkü en hızlı silikon tabanlı mikroişlemcinin hızının iki katı. IBM’in bu yönteminin başarılı olması halinde tasarımcıların, galyum arsenid ve indiyum fosfid gibi diğer ilginç maddeleri de kullanmaya başlamaları bekleniyor.
IBM, elektriği daha etkin bir şekilde iletmek için, saf silikon kullanmak yerine, germanyum ve silikon atomlarını harmanlama konusunda on yıldır yoğun olarak çalışıyor. Firma şu anda 100-200 atom inceliğinde transistörler üretebilecek duruma geldi. Bir mikro işlemci üzerindeki transistör sayısı arttıkça, işlemcinin performansı da artıyor. Yarıiletken endüstrisi işlemcilerin hızını artırmak için transistörlerin boyutlarını küçültecek çeşitli yöntemler peşinde...
Yeni teknoloji ilk olarak yüksek hızlı fiber optik kablolardan geçen verileri kontrol eden ağ işlemcilerinde kullanılacak ancak az enerji tüketmesi nedeniyle yeni hızlı işlemciler cep telefonlarında da kullanılabilecek.
Bilgi: www.ibm.com